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      偽靜態存儲器（Parrallel pSRAM）的設計是用于直接替代靜態隨機存儲器（SRAM），即使內部存儲器的操作并非靜態。商業化的兩種偽靜態存儲器分別是偽靜態隨機存儲器（PSRAM）及鐵電隨機存儲器（F—RAM）。PSRAM針對慢速SRAM應用；當純粹計算每個位的成本時具有競爭優勢。F-RAM針對電池后備SRAM（即BBSRAM）應用，在系統成本及產品供應方面具有競爭力。F-RAM還有一個目標用途是用于非易失性數據獲得，在這種應用中可以提供卓越的性能。
Density Part Number Vcc(V) Speed(MHz) Bus Modes Temp. Package Packing Status PDF下載
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64Mbit IPS6404LSQ 3.0 20 SPI,QPI -25℃ to 85℃ 8-SOIC Tube MP 暫無
64Mbit RS6404LSQ 3.0 20 SPI,QPI -25℃ to 85℃ 8-SOIC Tube MP 暫無
64Mbit IPS6404LSQL 1.8 20 SPI,QPI -25℃ to 85℃ 8-SOIC Tube MP 暫無
32Mbit RS3204JSQI T 1.8 20 SPI,QPI -40℃ to 85℃ 8-SOIC T&R MP 暫無
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32Mbit RS3204JSQCT 1.8 20 SPI,QPI 0℃ to 85℃ 8-SOIC T&R MP 暫無
32Mbit RS3204JSQI 1.8 20 SPI,QPI -40℃ to 85℃ 8-SOIC Tube MP 暫無
32Mbit RS3204JSQ 1.8 20 SPI,QPI -25℃ to 85℃ 8-SOIC Tube MP 暫無
32Mbit RS3204JSQC 1.8 20 SPI,QPI 0℃ to 85℃ 8-SOIC Tube MP 暫無
16Mbit IPS1604LSQL 1.8 20 SPI,QPI -25℃ to 85℃ 8-SOIC Tube MP 暫無
16Mbit IPS1604LSQ 3.0 20 SPI,QPI -25℃ to 85℃ 8-SOIC Tube MP 暫無
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