智能電表需持續(xù)記錄用電數據，支撐能源管理體系、階梯計價與用電分析，并常在戶外惡劣環(huán)境下長期運行。因此，存儲芯片一定要滿足數據長期可靠保存、耐高低溫、抗干擾、低耗能等要求，確保在無人維護的狀況下仍能穩(wěn)定工作。
 

 

 

　　磁阻隨機存取存儲器（MRAM）憑借獨特的隧穿磁阻技術，展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。MRAM具有無限讀寫次數、高速寫入、低耗能及高邏輯集成度等特性，已經成為一種兼具非易失性與高性能的存儲方案。和傳統(tǒng)RAM相比，MRAM在數據保持能力、讀寫速度、存儲密度及抗干擾能力方面表現(xiàn)更為出色，可用于需要持久和安全內存的廣泛應用。

 

　　因此許多智能電表制造商轉向采用MRAM技術，以達到無需電池備份的重要數據存儲。MRAM可在極端溫度范圍內保證長達20年的數據保存，即便在意外斷電時，數據也不會丟失，當電源恢復時，內存數據也將恢復，大大提高了系統(tǒng)的安全性與維護便利性。
 

 

 

　　電表公司為進一步增強智能電表的安全性，一部分供電系統(tǒng)還引入了動態(tài)安全機制，支持遠程更新或重置安全密鑰。結合MRAM自身對強磁場的檢測能力，可有效預防物理篡改行為。例如，Radio and Microelectronics（RIM）公司在其RIM789三相智能電表中，便選用了Everspin 4Mb串行SPI MRAM。該智能電表已通過俄羅斯GOST 52320-2005認證，可以在嚴苛條件下安全穩(wěn)定運行30年，具有故障自診斷，并能抵御氣候、機械及電磁干擾。
 

 

　　Everspin 4Mb串行SPI MRAM在四通道模式下，憑借四個I/O接口可實現(xiàn)高達52MB/s的數據傳輸速率，讀寫速度甚至超過部分8位并行MRAM。其工作頻率達40MHz，且具備無限的讀寫耐久性，不僅適用于智能電表，還可廣泛部署于下一代RAID控制器、服務器事件日志、存儲緩存及各類嵌入式系統(tǒng)的程序與數據存儲中。

 

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本文關鍵詞：MRAM,SPI MRAM

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