相比并行SRAM，串行方案占用I/O口更少，布線簡(jiǎn)單，尤其適合MCU資源緊張的嵌入式系統(tǒng)。英尚代理的VTI Serial RAM VTI7064MSM是一顆64Mbit的串行SRAM芯片，采用8M×8的組織方式，可靈活配置為單路輸入輸出（標(biāo)準(zhǔn)SPI）或四路并行傳輸（QPI模式）。當(dāng)串行sram存儲(chǔ)器切換至QPI模式時(shí)，4位I/O同時(shí)收發(fā)數(shù)據(jù)，有效提升吞吐量，滿足高速緩存需求。串行SRAM芯片的最高時(shí)鐘頻率達(dá)到104MHz，連續(xù)讀寫周期無(wú)等待延遲，完美繼承了SRAM“無(wú)限讀寫次數(shù)、無(wú)需刷新”的硬件優(yōu)勢(shì)。封裝為緊湊的8-SOIC，占板面積小，手工焊接和自動(dòng)化貼片都很方便。
 

 

 

　　串行sram存儲(chǔ)器VTI7064MSM采用先進(jìn)的CMOS工藝，在高速運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)仍能保持較低功耗。串行sram芯片內(nèi)置自刷新邏輯，用戶無(wú)需關(guān)心底層時(shí)序，只需通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)的CSN片選、時(shí)鐘和雙向數(shù)據(jù)線即可完成訪問(wèn)。每條指令的解析、地址鎖存和數(shù)據(jù)傳輸都由硬件自動(dòng)處理。該串行SRAM符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，經(jīng)過(guò)高低溫循環(huán)、靜電防護(hù)等可靠性測(cè)試，可在-40℃至+85℃工業(yè)溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。對(duì)于需要頻繁日志記錄、數(shù)據(jù)緩沖或LCD顯存擴(kuò)展的應(yīng)用，這顆芯片提供了“即插即用”般的體驗(yàn)。
 

 

　　如果你的主控芯片支持SPI接口，只需4根線（CSN、SCLK、SI、SO）就能連接一顆64Mbit的串行SRAM。在QPI模式下，再增加3根數(shù)據(jù)線即可將帶寬提升4倍。幾乎所有帶SPI外設(shè)的單片機(jī)都能直接驅(qū)動(dòng)，無(wú)需修改底層硬件。VTI原廠對(duì)串行sram存儲(chǔ)器系列產(chǎn)品長(zhǎng)期供貨，通過(guò)英尚的授權(quán)代理渠道可獲取完整的技術(shù)手冊(cè)。無(wú)論是替換原有并行SRAM，還是為新項(xiàng)目增加外部RAM，VTI7064MSM都是一個(gè)值得關(guān)注的串行SRAM型號(hào)。如果你有興趣，歡迎隨時(shí)來(lái)找我們咨詢。

本文關(guān)鍵詞：sram
 

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