據(jù)悉，SK海力士將在錫啟動第二工廠建設，二期投資36億美元，估計未來應該會做Flash；三星電子于2017～2018年，將對西安3D NAND Flash廠加大投資力度，業(yè)界人士預估共將投資約5兆韓元（約43．5億美元），以迎接存儲芯片場史上最大需求浪潮。   
      業(yè)內(nèi)人士都能看出來這是在針對中國半導體產(chǎn)業(yè)，目的是抑制紫光長江存儲的建設發(fā)展。半導體產(chǎn)業(yè)兩大國際頂級巨頭，同時針對紫光，必定有備而來。實際上巨頭巨額投入，資源、人才、客戶的爭搶必然走入死胡同，低價競爭必然不可取，不知道紫光如何應對？
      紫光現(xiàn)在手握大量資金，卻一直沒有遇到好的項目，去年底強勢并購中芯，中芯董事長周子學以紫光旗下 IC 設計公司展訊、紫光國芯為由，指出其將與中芯、高通等客戶產(chǎn)生利益沖突，力保中芯的獨立性，才止住紫光并中芯的計劃。
因為DRAM價格因供給短缺而以高角度上揚之賜，韓國兩大存儲器廠三星與SK海力士，今年半導體營業(yè)利潤年增五成，來到史無前例的25兆韓圜。
       存儲器市況從去年一路走高，2017年供給有限，而市場需求增加的狀況下，存儲器今年有望延續(xù)漲勢。近期DRAM漲勢主要由三星主導，且漲勢仍未平息，首季標準型DRAM漲幅逾三成，服務器用DRAM漲幅在25~30%、移動DRAM約15~20%。三大應用領域同飆，讓主要供應商SK海力士、三星、美光去年營運翻身，股價也大爆發(fā)，尤其美光股價大漲1.3倍，格外受到矚目。
      紫光武漢廠動工的節(jié)點，三星、海力士同時加碼存儲器。爭搶未來市場的動機明顯，武漢新芯（長江存儲）未來競爭將會難上加難，技術、市場、人才可謂沒可能與兩大巨頭抗衡，依靠資金換未來的方法也不知道能否成功。