采用高速CMOS技術(shù)的低功耗同步DRAM
2026-04-17 10:19:36
1、低功耗同步DRAM概述
英尚代理的鈺創(chuàng)EM638325BK系列SDRAM是一款高速CMOS包含64兆位的同步DRAM。它是內(nèi)部配置為四路512K x 32 DRAM帶有同步接口(所有信號(hào)記錄在時(shí)鐘信號(hào)的正沿，CLK)。DRAM每個(gè)512K×32位的存儲(chǔ)體都是有組織的如2048行乘256列乘32位。EM638325提供可編程讀取或?qū)懭?、2、4、8或整頁(yè)的突發(fā)長(zhǎng)度，具有突發(fā)終止選項(xiàng)。DRAM自動(dòng)預(yù)充電可以啟用函數(shù)來(lái)提供自定時(shí)行在突發(fā)結(jié)束時(shí)啟動(dòng)的預(yù)充電序列。刷新功能，自動(dòng)或自動(dòng)刷新很容易使用。通過(guò)擁有可編程的模式寄存器，系統(tǒng)可以選擇最最大化其性能的合適模式。這些低功耗DRAM非常適合要求高性能的應(yīng)用內(nèi)存帶寬。
2、低功耗同步DRAM EM638325BK系列特征：
①DRAM密度：64Mb
②組織：2Mx32
③DRAM速度：200/166/143
④Vdd接口：3.3V，LVTTL
⑤DRAM封裝：90球FBGA
⑥快速訪問(wèn)時(shí)間:5/5.4/5.4 ns
⑦快速時(shí)鐘速率:200/166/143 MHz
⑧四個(gè)內(nèi)部存儲(chǔ)體(512K x 32位x 4個(gè)存儲(chǔ)體)
⑨環(huán)境溫度:0~70攝氏度
⑩4096個(gè)刷新周期/64毫秒
?單+3.3V±0.3V電源
?完全同步運(yùn)行
?內(nèi)部流水線架構(gòu)
?突發(fā)停止功能
?自動(dòng)刷新和自我刷新
3、低功耗同步DRAM EM638325BK系列其他型號(hào)：
①低功耗同步DRAM EM638325TS-5G
②低功耗同步DRAM EM638325TS-6G
③低功耗同步DRAM EM638325TS-7G
④低功耗同步DRAM EM638325BK-5H
⑤低功耗同步DRAM EM638325BK-6H
⑥低功耗同步DRAM EM638325BK-7H
上一篇文章：使用SPI RAM芯片擴(kuò)展嵌入式存儲(chǔ)空間
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